"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ультраквазигидродинамический электронный транспорт в субмикронных полевых МДП-транзисторах и гетеротранзисторах
Гергель В.А.1, Мокеров В.Г.1, Тимофеев М.В.1, Федоров Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Показано, что в канале субмикронных полевых транзисторов электроны не успевают разогреться до квазистационарных температур, отвечающих балансу джоулева разогрева и терморелаксации. Отмеченный "недоразогрев" увеличивает эффективную подвижность по сравнению со значением mu(E), отвечающим дрейфово-диффузионному приближению. Используя редукцию уравнения теплового баланса за счет терморелаксационного члена, получено простое аналитическое выражение для вольт-амперных характеристик транзистора. В частности, ток насыщения транзистора в развитой ультраквазигидродинамической модели пропорционален (VG-Vt)3/2. Приведены результаты измерений характеристик тестовых гетеротранзисторов P-HEMT GaAlAs/InGaAs/GaAs с длиной канала ~ 0.3 мкм, подтверждающие адекватность развитой модели, точность которой с дальнейшим уменьшением длины канала будет лишь увеличиваться.
  1. В.А. Федирко. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, N 3, 23 (1984)
  2. В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. ФТП, 18(5), 769 (1984)
  3. I.C. Kizilyalli, K. Hess, J.L. Larson et al. IEEE Trans. Electron. Dev., 33(10), 1427 (1986)
  4. В.Э. Каминский. Микроэлектроника, 17(5), 421 (1988)
  5. K. Lee, M.S. Shur, T.J. Drummond et al. IEEE Trans. Electron. Dev., 31(1), 29 (1984)
  6. А.А. Кальфа. Электрон. техн., сер. 1, N 11, 383 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.