Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках
Бояркина Н.И.1, Васильев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Рассмотрены реакции образования комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через изменение энергетического барьера реакции. На примере реакций радиационного образования A- и E-центров в n-кремнии проводится сравнение результатов расчета с известными экспериментальными данными по накоплению этих дефектов при облучении. Удовлетворительное согласие расчетных данных с экспериментальными свидетельствует в пользу предложенного механизма участия электронной подсистемы кристалла в процессах в атомной подсистеме.
- А.В. Васильев, В.И. Панов, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 21, 573 (1987)
- Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 10, 1287 (1976)
- V.I. Gubskaya, P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Phys. St. Sol. (a), 85, 585 (1984)
- Е.Ф. Уваров, М.В. Чукичев. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Киев, Наук. думка, 1971) с. 305
- L.C. Kimerling, H.M. DeAngelis, C.P. Carnes. Phys. Rev. B, 3, 427 (1971)
- В.В. Михнович. Автореф. докт. дис. (Лыткарино, 1990)
- А.И. Баранов, А.В. Васильев, Л.С. Смирнов. ФТП, 20, 1132 (1986)
- А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках. Препринт (Черноголовка, 1985)
- А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.