Вышедшие номера
Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках
Бояркина Н.И.1, Васильев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Рассмотрены реакции образования комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через изменение энергетического барьера реакции. На примере реакций радиационного образования A- и E-центров в n-кремнии проводится сравнение результатов расчета с известными экспериментальными данными по накоплению этих дефектов при облучении. Удовлетворительное согласие расчетных данных с экспериментальными свидетельствует в пользу предложенного механизма участия электронной подсистемы кристалла в процессах в атомной подсистеме.