"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках
Бояркина Н.И.1, Васильев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Рассмотрены реакции образования комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через изменение энергетического барьера реакции. На примере реакций радиационного образования A- и E-центров в n-кремнии проводится сравнение результатов расчета с известными экспериментальными данными по накоплению этих дефектов при облучении. Удовлетворительное согласие расчетных данных с экспериментальными свидетельствует в пользу предложенного механизма участия электронной подсистемы кристалла в процессах в атомной подсистеме.
  1. А.В. Васильев, В.И. Панов, С.А. Смагулова, С.С. Шаймеев. ФТП, 21, 573 (1987)
  2. Л.С. Милевский, Т.А. Пагава. ФТП, 10, 1287 (1976)
  3. V.I. Gubskaya, P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Phys. St. Sol. (a), 85, 585 (1984)
  4. Е.Ф. Уваров, М.В. Чукичев. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Киев, Наук. думка, 1971) с. 305
  5. L.C. Kimerling, H.M. DeAngelis, C.P. Carnes. Phys. Rev. B, 3, 427 (1971)
  6. В.В. Михнович. Автореф. докт. дис. (Лыткарино, 1990)
  7. А.И. Баранов, А.В. Васильев, Л.С. Смирнов. ФТП, 20, 1132 (1986)
  8. А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках. Препринт (Черноголовка, 1985)
  9. А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.