"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Неполяризующиеся детекторы излучений на основе монокристаллов широкозонных полупроводников
Кашерининов П.Г.1, Лодыгин А.Н.1, Мартынов С.С.2, Хрунов В.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Широкозонные изолирующие полупроводниковые кристаллы весьма перспективны для создания фотоэлектрических приборов, особенно детекторов электромагнитных и ядерных излучений, но ширико не используются из-за поляризации приборов в процессе работы. В процессе работы в детекторах на таких кристаллах с большой концентрацией глубоких примесных уровней накапливаются электрические заряды, вызывающие изменение со временем напряженности электрического поля в кристалле и величины фотоотклика детектора. Так как избавиться от примесных центров в таких кристаллах в настоящее время не представляется возможным, предлагаются новые подходы к созданию на них неполяризующихся со временем детекторов-дозиметров излучений, основанные на полезном использовании образующихся в них поляризационных зарядов.
  1. П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин. Письма ЖЭТФ, 23(4), 23 (1997)
  2. П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин. Письма ЖЭТФ, 24(22), 64 (1998)
  3. Н.П. Богородицкий, В.В. Пасынков. Материалы в радиоэлектронике (М., Госэнергоиздат, 1961)
  4. И.А. Зеленин, П.Г. Кашерининов, В.Е. Харциев. Письма ЖЭТФ, 22(5), 86 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.