"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние обработки атомарным водородом на свойства поверхности n-n+-CaAs структур
Торхов Н.А.1, Еремеев С.В.2
1ГНПП "НИИПП", Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 6 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

С использованием сканирующей туннельной электронной микроскопии проводилось изучение свойств поверхности эпитаксиальных слоев n-GaAs (100), обработанных в потоке атомарного водорода. Полученные результаты показали сильное влияние обработки в атомарном водороде на состоянии поверхности, заключающееся в травлении собственного оксида, микрополировке, стабилизации по отношению к щелочной среде (раствор диметилформамид: моноэтаноламин 1 : 3) и окислению, а также изменение структуры поверхности с образованием димеров. Обнаружено, что обработка в потоке атомарного водорода приводит к образованию тонкого (меньше 0.05 мкм), слабо проводящего приповерхностного слоя, возможно оказывающего значительное влияние на статические приборные характеристики диодов с барьером Шоттки.
  1. В.Л. Гуртовой, В.В. Дремов, В.А. Макаренко, С.Ю. Шиповал. ФТП, 29(10), 1888 (1995)
  2. J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
  3. J.A. Schaefer, V. Persch, S. Stock, Th. Allihger, A. Goldmann. Europhys. Lett., 12(6), 563 (1990)
  4. A. Kishimoto, I. Suemuni, K. Hamaoka, T. Koui, Y. Honda, M. Yamanishi. Jpn. J. Appl. Phys., 29(10), 2273 (1990)
  5. L.M. Weeglels, T. Saitoh, H. Kanbe. Appl. Phys. Lett., 66(21), 2870 (1995)
  6. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, А.В. Говорков, О.М. Бородина, А.С. Брук. ФТП, 22(7), 1203 (1988)
  7. R.P.H. Chang, S. Darack. Appl. Phys. Lett., 38(11), 898 (1981)
  8. Z. Lu, M.T. Schmidt, D. Chen, R.M. Osgood, W.M. Holber, D.V. Podlesnik, J. Forster. Appl. Phys. Lett., 58(11), 1143 (1991)
  9. N. Watanabe, T. Nittono, H. Ito, N. Kondo, Y. Nanishi. J. Appl. Phys., 73(12), 8146 (1993)
  10. S.J. Pearton. J. Electron. Mater., 14a, 737 (1985)
  11. J.I. Pankove, M.A. Lampert, M.L. Tarng. Appl. Phys. Lett., 32(7), 439 (1978)
  12. J.I. Pankove, M.L. Tarng. Appl. Phys. Lett., 34(2), 156 (1979)
  13. S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44(7), 684 (1984)
  14. C.H. Seager, D.S. Ginley, J.D. Zook. Appl. Phys. Lett., 36(10), 831 (1980)
  15. J.I. Hanoka, C.H. Seager, D.J. Sharp, J.K.G. Panitz. Appl. Phys. Lett., 42(7), 618 (1983)
  16. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55(3), 259 (1989)
  17. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57(9), 887 (1990)
  18. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, N 8, 115 (1997)
  19. В.В. Аристов, С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов, А.М. Сурма. Микроэлектроника, 24(3), 198 (1995)
  20. T. Hashizume, S. Heike, M.I. Lutwyche, S. Watanabe, K. Nakajima, T. Nishi, Y. Wada. Jpn. J. Appl. Phys., 35(8B), L 1085 (1996)
  21. Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75(5), 2447 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.