Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронные свойства обработанной HCl поверхности GaAs

Венгер Е.Ф.¹, Кириллова С.И.¹, Примаченко В.Е.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 15 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Система поверхностных электронных состояний (100) поверхности n-GaAs после обработки ее в HCl становится стабильной при изменении температуры в диапазоне 300-100 K. Полученные из электрополевых зависимостей поверхностной фотоэдс распределения эффективной плотности поверхностных электронных состояний в запрещенной зоне GaAs зависят от температуры измерения. Это связано с проявлением в электрополевых измерениях электронных состояний, находящихся как на границе раздела GaAs-поверхностная пленка, так и в самих пленках. Обработка в HCl, а тем более обработка в HCl с последующей промывкой водой снижают плотности электронных состояний обоих видов, а также уменьшают концентрации глубоких и мелких ловушек для неравновесных дырок.

В.И. Белый, В.Р. Белослудов. В кн.: Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников (Новосибирск, 1988)
C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Е.Б. Новиков. ФТТ, 35, 653 (1993)
Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. ФТП, 29, 244 (1995)
Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. Поверхность, вып. 12, 59 (1996)
Z. Song, S. Shogen, M. Kawasaki, I. Suemune. Appl. Surf. Sci., 82/83, 250 (1994)
Z.H. Lu, F. Chatenoud, M.M. Dion, M.J. Graham, H.E. Ruda, I. Koutzarov, Q. Liu, C.E. Mitchell, J.G. Hill, A.B. McLean. Appl. Phys. Lett., 67, 670 (1995)
V.E. Primachenko, O.V. Snitko, V.V. Milenin. Phys. St. Sol., 11, 711 (1965)
Ю.А. Зарифьянц, В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов. Вестн. МГУ. Сер. Физика, вып. 1, 84 (1975)
H. Hasegava, H. Ohno. J. Vac. Sci. Techn., 4, 1130 (1986)
В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем МДП (Киев, Наук. думка, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель