"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль термических выбросов носителей в выжигании пространственных дыр в лазере на квантовых точках
Асрян Л.В.1, Сурис Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Проанализирована роль процессов термических выбросов носителей из квантовых точек и диффузии свободных носителей в выжигании пространственных дыр в полупроводниковом лазере на квантовых точках. Показано, что выравнивание пространственно неоднородной инверсии населенности в продольном направлении в резонаторе контролируется термическими выбросами из квантовых точек. Вследствие этого эффект выжигания дыр в лазере на квантовых точках может проявляться сильнее, а порог многомодовой генерации может быть ниже, чем в полупроводниковых лазерах с объемной активной областью и лазерах на квантовых ямах. Для структур, оптимизированных с целью минимизации плотности порогового тока основной моды, получены зависимости порога многомодовой генерации от дисперсии размеров квантовых точек, длины резонатора и температуры.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett, 40, 939 (1982)
  2. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  3. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE. J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 148 (1997)
  4. L.V. Asryan, R.A. Suris. Electron. Lett., 33, 1871 (1997)
  5. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 34, 841 (1998)
  6. H. Statz, C.L. Tang, J.M. Lavine. J. Appl. Phys., 35, 2581 (1964)
  7. C.L. Tang, H. Statz, G. deMars. J. Appl. Phys., 34, 2289 (1963)
  8. R.A. Suris, S.V. Shtofich. Soviet Phys. Semicond., 16, 851 (1982)
  9. R.A. Suris, S.V. Shtofich. Soviet Phys. Semicond., 17, 859 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.