"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические явления в переключающих кремниевых структурах с фторидами редкоземельных элементов
Рожков В.А.1, Шалимова М.Б.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 12 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик кремниевых переключающих структур металл--диэлектрик--полупроводник, где в качестве диэлектрика используются фториды церия, диспрозия или эрбия. Показано, что в состоянии с низким сопротивлением их фотоэлектрические характеристики аналогичны характеристикам структуры металл--<туннельный диэлектрик>--полупроводник, в частности реализуется механизм инжекционного усиления фототока.
  1. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 18(5), 74 (1992)
  2. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 27, 438 (1993)
  3. В.А. Рожков, Н.Н. Романенко. Письма ЖТФ, 19(22), 6 (1993)
  4. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Письма ЖТФ, 24(16), 92 (1998)
  5. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. ФТП, 32, 1349 (1998)
  6. А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15, 142 (1981)
  7. А.Я. Вуль, В.И. Федоров, Ю.Ф. Бирюлин, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, И.И. Сайдашов, К.В. Санин. ФТП, 15, 525 (1981)
  8. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, С.В. Козырев. В сб.: Фотоприемники и фотопреобразователи (Л., Наука, 1986) с. 105
  9. А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинчик, К.В. Санин, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1471 (1983)
  10. А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1361 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.