"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние материала подложки на скорость роста и оптические параметры слоев a-C : H
Звонарева Т.К.1, Шаронова Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Слои a-C : H выращены методом реактивного магнетронного распыления графитовой мишени в атмосфере Ar+H2 на постоянном токе. Проведены эллипсометрические измерения на длине волны 6328 Angstrem и осуществлен их анализ для трех серий слоев a-C : H различной толщины (разные времена осаждения) на подложках из кремния, плавленого кварца и ситалла. Показано, что материал подложки существенно влияет на рост слоев a-C : H: слои a-C : H на подложках из кремния были однородными до толщин ~ 7000 Angstrem; для тонких слоев(<1000 Angstrem) скорость роста на кварце больше, чем на кремнии, значения показателя преломления a-C : H на кварце и Si несколько раличались (1.60/ 1.65 и 1.65/ 1.72 соответственно); слои a-C : H на подложках из ситалла были неоднородными, с переменным по толщине показателем преломления.
  1. В.Л. Аверьянов, Т.К. Звонарева, А.В. Чернышев, С.Г. Ястребов. ФТТ, 33(11), 3410 (1991)
  2. G.A. Dyuzhev, V.I. Ivanov-Omskii, E.K. Kuznetsova, V.D. Rumyantsev, S.G. Yastrebov, T.K. Zvonariova, M.I. Abaev. Mol. Mat., 8, 103 (1996)
  3. V.I. Ivanov-Omskii, V.I. Siklitsky, A.A. Sitnikova, A.A. Suvorova, A.V. Tolmatchev, T.K. Zvonariova, S.G. Yastrebov. Phil. Mag. B, 76(6), 973 (1997)
  4. Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
  5. В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во ЛГУ, 1986)
  6. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27(2), 985 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.