"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y c составом вблизи границы области несмешиваемости
Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследована возможность получения методом жидкофазной эпитаксии твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y, изопериодных GaSb, вблизи границы области несмешиваемости. Изучен эффект влияния кристаллографической ориентации подложки на состав выращиваемых твердых растворов, наблюдался рост концентрации индия от 0.215 до 0.238 в твердой фазе Ga1-xInxAsySb1-y в ряду (100), (111)A, (111)B ориентаций подложки. Изменение состава твердого раствора приводит к сдвигу длинноволнового края спектрального распределения фоточувствительности. Использование подложки GaSb (111)B позволило, не снижая температуры эпитаксии, увеличить содержание индия в твердой фазе до 23.8% и создать длинноволновые фотодиоды со спектральной границей чувствительности lambdath=2.55 мкм. Описаны особенности технологии и основные характеристики таких фотодиодов. Предложенный технологический метод может быть перспективен для создания оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов, фотодиодов) на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y с красной границей до 2.7 мкм.
  1. A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Applications Tunable Diode Lasers [SPIE, 1724 (1992) p. 2]
  2. M. Kavaya. Laser Focus World, N 1, 27 (1991)
  3. J. Lucas. Infr. Phys., 25, N 1/2, 227 (1985)
  4. R.H. Pierson, A.N. Fletcher. Analytical Chem., 28, N 8, 1218 (1956)
  5. А.Н. Баранов, А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак, Н.А. Чарыков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16, 19 (1990)
  6. А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.М. Литвак, А.А. Попов, Н.А. Чарыков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16, вып. 5, 33 (1990)
  7. А.Н. Баранов, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Джуртанов, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14, вып. 20, 1839 (1988)
  8. J.C. DeWinter, M.A. Pollack, A.K. Srivastava, J.L. Zyskind. J. Electron. Mater., 14, N 6, 729 (1985)
  9. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, В.Г. Данильченко, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 12, вып. 21, 1311 (1986)
  10. E. Tournie, J.-L. Lazzari, E. Villemain, A. Joullie, L. Gouskov, M. Karim, I. Salesse. Electron. Lett., 27, N 14, 1237 (1991)
  11. А.Э. Бочкарев, Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, З.Б. Капанадзе. В сб.: Полупроводники и гетеропереходы, под ред. А.И. Розенталя (Таллин, Валгус, 1987) с. 3
  12. А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 64, вып. 9, 2331 (1990)
  13. F. Karota, H. Mani, J. Bhan, Fen Jia Hua, A. Joullie. Rev. Phys. Appl., 22, N 11, 1459 (1987)
  14. У.М. Кулиш. Рост и электрофизические свойства пленок полупроводников (жидкофазная эпитаксия) (Элиста, Калм. кн. изд-во, 1976)
  15. Рекламный проспект фирмы EPITAXX: High Sensitivity 2.5 mum Cutoff Wavelength InGaAs Photodiodes.
  16. J.L. Moll. In: Physics of Semiconductors (McGraw Hill, N.Y., 1964)
  17. Н.Т. Баграев, А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Ю.Н. Толпаров, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 11, вып. 1, 47 (1985)
  18. А.Н. Баранов, А.М. Литвак, В.В. Шерстнев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25, N 6, 205 (1989)
  19. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 35 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.