"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния состава и условий отжига на оптические свойства квантовых точек (In,Ga)As в матрице (Al,Ga)As
Чжень Чжао1, Бедарев Д.А.1, Воловик Б.В.1, Леденцов Н.Н.1, Лунев А.В.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследованы оптические свойства структур с квантовыми точками InGaAs в матрицах GaAs и AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что увеличение содержания In в квантовых точках приводит к увеличению энергии локализации носителей и к возрастанию энергетического расстояния между основным и возбужденными состояниями носителей в квантовых точках. Исследование влияния постростового отжига на оптические свойства структур показывает, что формирование вертикально связанных квантовых точек и использование широкозонной матрицы AlGaAs приводит к повышению термической стабильности структур. Кроме того, в структурах с вертикально связанными квантовыми точками InGaAs в матрице AlGaAs высокотемпературный (при 830oC) отжиг позволяет улучшить качество слоев AlGaAs, при этом практически не изменяя энергетический спектр структуры. Полученные результаты показывают возможность использования постростового отжига для улучшения характеристик лазеров на основе квантовых точек.
  1. L. Goldstein, F. Glass, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  2. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  3. P.M. Petroff, S.P. Den Baars. Superlatt. Microstr., 15, N 1, 15 (1994)
  4. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
  5. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  6. M.V. Maximov, I.V. Kochnev, Yu.M. Shernyakov, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, I.L. Krestnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. Int. Symp. Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (Sapporo, Japan, 1996) [Japan. J. Appl. Phys., 36, pt. 1, 4221 (1997)]
  7. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  8. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, D.J.H. Cockayne. Appl. Phys. Lett., 69, 1888 (1997)
  9. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, M. Pate. Appl. Phys. Lett., 71, 1987 (1997)
  10. A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, N.A. Bert, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 69, 3072 (1996).!! vadjust !!
  11. B.V. Volovik, M.V. Maximov, A.V. Sakharov, I.V. Kochnev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner. 7th European Workshop on Metal--Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques (Berlin, Germany, 1997) (workshop booklet)
  12. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  13. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernuakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. J. Cryst. Growth, 175/176, 689 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.