Исследованы процессы дефектообразования в эпитаксиальных пленках PbSe : Tl, полученных конденсацией из молекулярных пучков при различных температурах конденсации из шихты с содержанием таллия 0/1.6 ат%. Установлено, что увеличение содержания акцепторной примеси в пленке сопровождается заметным увеличением донорных вакансий селена по механизму самокомпенсации. Определены концентрации таллия в пленках и установлены коэффициенты переноса примеси, которые изменяются от 0.82 до 0.44 при изменении температуры конденсации от 250 до 350^oC. Теоретически рассчитаны концентрации носителей тока в зависимости от содержания таллия в пленках. Расхождение теории с экспериментом при концентрации таллия в пленке N_Tl<0.3 ат% объясняется наличием в образцах неравновесных донорных дефектов, связанных с процессами роста, влияние которых учитывается простой подстановкой их концентрации в уравнение электронейтральности. Оценки по теории самокомпенсации позволяют сделать вывод, что для получения образцов с низкой концентрацией носителей тока необходимо проводить напыление пленок при T_K>400^oC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.