"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Явление самокомпенсации в тонких слоях PbSe : Tl
Зыков В.А.1, Гаврикова Т.А.1, Немов С.А.1, Осипов П.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследованы процессы дефектообразования в эпитаксиальных пленках PbSe : Tl, полученных конденсацией из молекулярных пучков при различных температурах конденсации из шихты с содержанием таллия 0/1.6 ат%. Установлено, что увеличение содержания акцепторной примеси в пленке сопровождается заметным увеличением донорных вакансий селена по механизму самокомпенсации. Определены концентрации таллия в пленках и установлены коэффициенты переноса примеси, которые изменяются от 0.82 до 0.44 при изменении температуры конденсации от 250 до 350oC. Теоретически рассчитаны концентрации носителей тока в зависимости от содержания таллия в пленках. Расхождение теории с экспериментом при концентрации таллия в пленке NTl<0.3 ат% объясняется наличием в образцах неравновесных донорных дефектов, связанных с процессами роста, влияние которых учитывается простой подстановкой их концентрации в уравнение электронейтральности. Оценки по теории самокомпенсации позволяют сделать вывод, что для получения образцов с низкой концентрацией носителей тока необходимо проводить напыление пленок при TK>400oC.
  1. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., Наука, 1975)
  2. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 369 (1994)
  3. Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков, С.А. Немов. ФТП, 27, 200 (1993)
  4. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов, С.А. Рыков. ЖПХ, 71, 526 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.