Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 1 » Статья стр. 3
>>>
Влияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию легированного эрбием GaN в области длин волн 1.0-1.6 мкм
Давыдов В.Ю.1, Лундин В.В.1, Смирнов А.Н.1, Соболев Н.А.1, Усиков А.С.1, Емельянов А.М.2, Маковийчук М.И.3, Паршин Е.О.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 20 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
PDF версия
Исследовано влияние условий кратковременного отжига и дополнительной соимплантации ионов кислорода на фотолюминесценцию ионов эрбия, имплантированных с энергией 1 МэВ и дозой 5·1014 см-2 в пленки GaN, выращенные методом газофазного осаждения из металлорганических соединений. Интенсивность эрбиевой фотолюминесценции на длине волны ~1.54 мкм возрастает с повышением температуры изохронного (в течение 15 с) отжига от 700 до 1300oC. Соимплантация ионов кислорода позволяет увеличить интенсивность эрбиевой фотолюминесценции при температурах отжига из указанного диапазона, меньших 900oC. Методом рамановской спектроскопии исследована трансформация кристаллической структуры образцов в результате имплантации ионов эрбия и последующих отжигов.
  1. J.T. Torvik, C.H. Qiu, R.J. Feuerstein, J.I. Pankove, F. Namavar. J. Appl. Phys., 81, 6343 (1997)
  2. E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, B. Goldenberg, G.S. Pomrenke. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 69 (1996)
  3. E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, L.R. Everitt. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1577 (1997)
  4. J.T. Torvik, R.J. Feuerstein, C.H. Qiu, M.W. Leksono, J.I. Pankove, F. Namavar. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 199 (1996)
  5. S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, E.E. Reuter, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 71, 231 (1997)
  6. S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 71, 2662 (1997)
  7. Myo Thaik, U. Hommerich, R.N. Schwartz, R.G. Wilson, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 71, 2641 (1997)
  8. W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, A.S. Usikov, M.E. Gaevski, A.V. Sakharov. Inst. Phys. Conf. Ser. (1997) N 155, ch. 3, p. 319
  9. V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82, 5097 (1997)
  10. M. Cardona. In: Light Scattering in Solids II, ed. by M. Cardona and G. Gubtherodt [ Topics in Applied Physics (Springer, Berlin, 1982) v. 50, p. 117]
  11. K. Karch, J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 57, 7043 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme