"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Трансформация центров безызлучательной рекомбинации в структурах с GaAs/AlGaAs-квантовыми ямами, обработанными в CF4-плазме, при низкотемпературном отжиге
Журавлев К.С.1, Соколов А.Л.1, Могильников К.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Изучено влияние низкотемпературного отжига на фотолюминесценцию структур с AlGaAs/GaAs-одиночными квантовыми ямами, обработанных в низкоэнергетичной CF4-плазме. Установлено, что отжиг при температурах 160-300oC приводит к падению интенсивности фотолюминесценции квантовых ям, расположенных в приповерхностной области, а отжиг при температурах 350-450oC --- к частичному восстановлению их фотолюминесценции. Определены энергия активации диффузии генерированных плазмой точечных дефектов и энергия активации отжига этих дефектов. Эти энергии равны 150 и 540 мэВ соответственно. Обнаружено, что фотолюминесценция ближней к подложке квантовой ямы, имевшая низкую интенсивность фотолюминесценции в исходном образце, при обработке в плезме возрастает, а при последующем отжиге монотонно уменьшается с ростом температуры отжига. Повторная обработка в CF4-плазме вновь приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции этой квантовой ямы. Предполагается, что индуцированные CF4-плазмой дефекты образуют комплексы с дефектами, введенными при росте, и эти комплексы не являются центрами рекомбинации. При низкотемпературном отжиге комплексы распадаются и вновь образуются центры безызлучательной рекомбинации.
  1. H.F. Wong, D.L. Green, T.Y. Liu, D.G. Lishan, M. Bellis, E.L. Hu, P.M. Petroff, P.O. Holtz, J.L. Merz. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1906 (1988)
  2. А.В. Мурель, А.П. Касаткин, В.М. Коган. Известия РАН. Сер. физ., 56, 161 (1992)
  3. B.S. Ooi, A.C. Bryce, C.D.W. Wilkinson, J.H. Marsh. Appl. Phys. Lett., 64, 598 (1994)
  4. К.С. Журавлев, В.А. Колосанов, М. Холланд, И.И. Мараховка. ФТП, 31, 1436 (1997)
  5. К.С. Журавлев, В.А. Колосанов, В.Г. Плюхин, Т.С. Шамирзаев. ЖТФ, 64, 185 (1994)
  6. C. Juang, J.K. Hsu, I.S. Yen, H.S. Shiau. J. Appl. Phys., 72, 684 (1992)
  7. S.V. Dubonos, S.V. Koveshnikov. Phys. St. Sol. (A), 77, 120 (1990)
  8. W. Beinstingl, R. Christanel, J. Smoliner, C. Wirner, E. Gornik, G. Weinmann, W. Shlapp. Appl. Phys. Lett., 57, 177 (1990)
  9. F. Ren, J.W. Lee, C.R. Abernathy, C. Constantine, C. Barratt, R.J. Shul. Appl. Phys. Lett., 70, 2410 (1997)
  10. J.C. Nebity, Michael Stavola, J. Lopata, W.C. Dautremon-Smith, C.W. Tu, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 50, 921 (1987)
  11. A.W. Leich, Th. Prescha, J. Weber. Phys. Rev. B, 44, 1375 (1991)
  12. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков. ФТП, 21, 842 (1987)
  13. Э.М. Омельяновский, А.В. Пахомов, А.Я. Поляков, Л.В. Куликова. ФТП, 21, 1762 (1987)
  14. J.M. Zavada, H.A. Jenkonson, R.G. Sarkis, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 58, 3731 (1985)
  15. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Гос. изд-во физ.-мат. лит., 1961)
  16. J.F. Wager. J. Appl. Phys., 69, 3022 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.