Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p-n-перехода в СВЧ поле

Усанов Д.А.¹, Скрипаль А.В.¹, Угрюмова Н.В.¹

¹Саратовский государственный университет, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Поступила в редакцию: 15 сентября 1997 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта возникновения отрицательного дифференциального сопротивления диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности. При теоретическом анализе влияния высокого уровня СВЧ мощности на вид вольт-амперной характеристики диода учитывается изменение постоянной составляющей тока, протекающего через p-n-структуру, вследствие разогрева свободных носителей заряда и детекторного эффекта.

А.И. Вейнгер, А.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Н.А. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
C.T. Sah, R.N. Noyse, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
В.Г. Виненко, С.В. Красовский, Д.А. Усанов. Электрон. техн., сер. 1, Электроника СВЧ, 4, 38 (1987)
К.С. Чэмплин, Д.Б. Армстронг, П.Д. Гандерсон. ТИИЭР, 52, 720 (1964)
В. Денис, Ж. Канцлерис, З. Мартунас. В сб.: Тепловые электроны, под ред. Ю. Пожелы (Вильнюс, Мокслас, 1983)
Г.И. Веселов, Е.Н. Егоров, Ю.Н. Алехин и др. В сб.: Микроэлектронные устройства СВЧ, под ред. Г.И. Веселова (М., Высш. шк., 1988)
S. Basu, S.A. Maas, T. Itoh. IEEE Microwave and Guided Lett., 5, 293 (1995)
И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1990)
Дж. Хелзайн. Пассивные и активные цепи СВЧ (М., Радио и связь, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель