"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix
Алешкин В.Я.1, Гавриленко В.И.1, Ерофеева И.В.1, Козлов Д.В.1, Кузнецов О.А.2, Молдавская М.Д.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Исследованы спектры субмиллиметровой фотопроводимости напряженных многослойных гетероструктур Ge/Ge1-xSix (x~ 0.1), обусловленной возбуждением мелких акцепторных примесей. Установлено, что спектры смещаются в длинноволновую область по сравнению спектрами объемного p-Ge вследствие расщепления подзон легких и тяжелых дырок в слоях германия из-за встроенной деформации и размерного квантования. Вариационным методом выполнены расчеты энергетических спектров мелких акцепторов в объемном германии для случая одноосного растяжения, "эквивалентного" деформации слоев германия в гетероструктурах. Показано, что развитый подход дает удовлетворительное описание спектров в широких ямах (шириной dGe~ 800 Angstrem); в более узких квантовых ямах (dGe~ 200 Angstrem) проведенные расчеты позволяют качественно интерпретировать наблюдаемые линии и полосы фотопроводимости.
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  2. J. Broeckx, P. Clauws, J. Vennik. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 511 (1986)
  3. J. Broeckx, J. Vennik. Phys. Rev. B, 35, 6165 (1987)
  4. D.H. Dickey, J.O. Dimmock. J. Phys. Chem. Sol., 28, 529 (1967)
  5. A.G. Kazanskii, P.L. Richards, E.E. Haller. Sol. St. Commun., 24, 603 (1977)
  6. A.D. Martin, P. Fisher, C.A. Freeth, E.H. Salib, P.E. Simmonds. Phys. Lett., 99A, 391 (1983)
  7. R.A. Foulkner. Phys. Rev., 184, 713 (1969)
  8. Л.К. Орлов, О.А. Кузнецов, Р.А. Рубцова, А.Л. Чернов, В.И. Гавриленко, О.А. Миронов, В.В. Никоноров, И.Ю. Скрылев, С.В. Чистяков. ЖЭТФ, 98, 1028 (1990)
  9. D. Schechter. J. Phys. Chem. Sol., 23, 237 (1962)
  10. J.M. Luttinger. Phys. Rev., 102, 1030 (1955)
  11. А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия 1979)
  12. Ф. Бассани, Дж.П. Паравичини. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах (М., Наука 1982)
  13. Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика (М., Наука, 1987)
  14. В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, А.Л. Коротков, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никоноров, Л.В. Парамонов. Письма ЖЭТФ, 65, 194 (1997)
  15. R.L. Jones, P. Fisher. Phys. Rev. B, 2016 (1970)
  16. V.Ya. Aleshkin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilinko, Z.F. Krasil'nik, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.V. Nikonorov, V.M. Tsvetkov. Lithuanian J. Phys., 35, 368 (1995)
  17. A.A. Reeder, J.-M. Mercy, B.D. McCombe. IEEE J. Quant. Electron., 24 (1988)
  18. S. Holms, J.-P. Cheng, B.D. McCombe, W. Schaff. Phys. Rev. Lett., 69, 2571 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.