Вышедшие номера
Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix
Алешкин В.Я.1, Гавриленко В.И.1, Ерофеева И.В.1, Козлов Д.В.1, Кузнецов О.А.2, Молдавская М.Д.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Исследованы спектры субмиллиметровой фотопроводимости напряженных многослойных гетероструктур Ge/Ge1-xSix (x~ 0.1), обусловленной возбуждением мелких акцепторных примесей. Установлено, что спектры смещаются в длинноволновую область по сравнению спектрами объемного p-Ge вследствие расщепления подзон легких и тяжелых дырок в слоях германия из-за встроенной деформации и размерного квантования. Вариационным методом выполнены расчеты энергетических спектров мелких акцепторов в объемном германии для случая одноосного растяжения, "эквивалентного" деформации слоев германия в гетероструктурах. Показано, что развитый подход дает удовлетворительное описание спектров в широких ямах (шириной dGe~ 800 Angstrem); в более узких квантовых ямах (dGe~ 200 Angstrem) проведенные расчеты позволяют качественно интерпретировать наблюдаемые линии и полосы фотопроводимости.