"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs
Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Экспериментально обнаружено, что релаксация просветления GaAs, которое возникает при фотогенерации носителей заряда мощным пикосекундным импульсом света, замедляется при увеличении диаметра луча F. Релаксация просветления вызвана уменьшением концентрации носителей из-за рекомбинационной суперлюминесценции в GaAs. Получается, что при увеличении диаметра F скорость суперлюминесценции рекомбинации замедляется, хотя интенсивность суперлюменесцентного излучения должна возрастать. Это кажущееся противоречие объясняется с помощью теории.
  1. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
  2. Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
  3. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 94, 805 (1995)
  4. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  5. L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256 (1977)
  6. И.Л. Броневой, Р.А. Гадонас, В.В. Красаускас, Т.М. Лифшиц, А.С. Пискарскас, М.А. Синицын, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 42, 322 (1985)
  7. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. In: Mode-Locked Lasers and Ultrafast Phenomena, ed. by G.B. Altshuler. [Proc. SPIE, 1842, 70 (1992)]
  8. И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков, В.И. Перель. Письма ЖЭТФ, 43, 368 (1986)
  9. D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Physique, 48, 267 (1987)
  10. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
  11. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., 98, 903 (1996)
  12. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 81, 969 (1992)
  13. Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin, H.M. Van Driel, G.R. Allan. In: Hot Carriers in Semiconductors, ed. by Karl Hess et al. (Plenum Press, N. Y., 1996) p. 587
  14. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.