Вышедшие номера
Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs
Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Экспериментально обнаружено, что релаксация просветления GaAs, которое возникает при фотогенерации носителей заряда мощным пикосекундным импульсом света, замедляется при увеличении диаметра луча F. Релаксация просветления вызвана уменьшением концентрации носителей из-за рекомбинационной суперлюминесценции в GaAs. Получается, что при увеличении диаметра F скорость суперлюминесценции рекомбинации замедляется, хотя интенсивность суперлюменесцентного излучения должна возрастать. Это кажущееся противоречие объясняется с помощью теории.