"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Непрямые электронные переходы в полупроводниках при рассеянии носителей заряда на дислокациях в квантующем магнитном поле
Казарян Э.М.1, Мхоян К.А.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Вычислен коэффициент поглощения света, обусловленный непрямыми электронными переходами в полупроводнике, находящемся в квантующем магнитном поле в предположении, что роль третьего тела играет краевая дислокация. Выявлены характерные для рассмотренного механизма зависимости коэффициента поглощения от частоты света и от величины магнитного поля.
  1. А.А. Киракосян, М.К. Кумашян, К.А. Мхоян, А.А. Саркисян. Изв. НАН Армении. Физика, 30, 208 (1995)
  2. E.M. Kazaryan, K.A. Mkhoyan, H.A. Sarkisyan. Thin Sol. Films, 7, 302 (1997)
  3. В.Л. Бонч-Бруевич, В.Б. Гласко. ФТТ, 3, 36 (1961)
  4. B. Lax, S. Zwerdling. Progr. Semicond., 5, 221 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.