"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обнаружение низкотемпературной диффузии примесных атомов алюминия в имплантированном водородном кремнии
Горелкинский Ю.В.1, Мукашев Б.Н.1, Абдуллин Х.А.1
1Физико-технический институт Министерства науки --- Академии наук Республики Казахстан, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 20 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Методом ЭПР изучены образцы монокристаллического кремния, легированного примесью алюминия и импланированного атомами водорода при температуре ~80 K. Обнаружены два новых ЭПР спектра, обозначенные как Si-AA15 и Si-AA16. Сверхтонкая структура спектров однозначно показывает, что в состав дефектов AA15 и АА16 вовлечены два и один атом алюминия соответственно. Формирование пар Al--Al (дефект AA15) свидетельствует о сильной миграции примесных атомов алюминия. Миграция, происходящая в эксперименте при T=<200 K, не может быть нормальной или инжекционно-ускоренной диффузией. Обсуждаются возможные модели примесных межузельных пар Al--Al и механизм водородно-ускоренной миграции.
  1. G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum 143--147, 9 (1994)
  2. G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) p. 97
  3. J.R. Troxell, A.P. Chatterjee, G.D. Watkins, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 19, 5336 (1979)
  4. J.R. Troxell, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 22, 921 (1980)
  5. L.C. Kimerling, P. Blood, W.M. Gibson. Inst. Phys. Conf. Ser. N 46, 273 (1978)
  6. Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov. ФТП, 25, 684 (1991)
  7. R.C. Newman. 20th Int. Conf. Phys. Semicond., ed. by E.M. Anastassakis, J.D. Joannopoulos (World Scientific, Singapore. 1991) v. 1, p. 332
  8. S.A. McQuaid, C.A. Londos, M.J. Binns, R.C. Newman, J.H. Tucker. Mater. Sci. Forum, 143--147, 963 (1994)
  9. R. Jones, S. Oberg, A. Umerski. Mater. Sci. Forum, 83--87, 551 (1992)
  10. S. Estreicher. Phys. Rev. B, 141, 9886 (1990--I)
  11. M.J. Binns, S.A. McQuaid, R.C. Newman, E.C. Lightowlers. Semicond. Sci. Technol., 8, 1908 (1993)
  12. E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
  13. G.D. Watkins. J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  14. S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Springer Ser. Mater. Sci, 16 (1992)
  15. Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев. ФТП, 28, 1831 (1994).
  16. Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, Yu.V. Gorelkinskii. Semicond. Sci. Technol., 11, 1696 (1996)
  17. R.G. Harris, G.D. Watkins. 13th Int. Conf. Def. in Semicond. (Coronado, 1985) p. 799
  18. Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica B, 170, 155 (1991)
  19. G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 30, 3460 (1984)
  20. G.D. Watkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett., 36, 1329 (1976)
  21. K.L. Brower. Phys. Rev. B, 9, 2607 (1974)
  22. J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51, 1103 (1987)
  23. M. Hagen, H. Overhof. Mater. Sci. Forum, 143--147, 1197 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.