"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность гетероструктур пористый кремний--слоистые полупроводники AIIIBVI
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Выпрямляющие гетеропереходы с фоточувствительностью 1-5 В/Вт при T=300 K получены образованием оптических контактов свободного пористого кремния со слоистыми полупроводниками InSe и GaSe. Широкополосный фотовольтаический эффект получен при освещении этих гетеропереходов со стороны пластины свободного пористого кремния. Длинноволновый край фоточувствительности этих устройств определяется прямыми переходами в InSe или GaSe соответственно. Сделано заключение, что гетеропереходы на основе пластин свободного пористого кремния могут применяться как широкополосные фотопреобразователи.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 21, 80 (1995)
  3. А.А. Лебедев, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 22, 12 (1996)
  4. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник. (М., Наука, 1978)
  5. Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю,В. Рудь. ФТП, 29, 1649 (1995)
  6. В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 12, 374 (1978)
  7. В.Ф. Агекян, Ю.В. Рудь, Ю.А. Степанов, А.А. Лебедев. ФТТ, 38, 2994 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.