Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 26 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.
Проведено исследование влияния легирования германием на эффективность образования основных вторичных радиационных дефектов в кремнии при низкотемпературном (T=<90 K) электронном облучении. Снижение эффективности образования A- и V2-центров в Si<Ge> в условиях эксперимента объясняется в предположении, что атомы германия являются центрами непрямой рекомбинации радиационных дефектов в Si<Ge>.
- А.А. Бугай, В.М. Максименко, Б.М. Туровский, Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, Н.И. Горбачева. ФТП, 18, 2020 (1984)
- И.Г. Атабаев, М.С. Саидов, Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, А. Юсупов. ФТП, 21, 570 (1987)
- Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
