"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость кремния, легированного серой, в спектральном диапазоне 10.6 мкм
Сиябеков Х.Б.1, Туланов В.Т.1
1Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 18 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

В импульсном режиме исследована примесная фотопроводимость Si<S> в условиях коротковолновой подсветки 10.6 мкм. Определено, что путем коротковолновой подсветки можно достичь увеличения чувствительности на 2--3 порядка. Установлено, что увеличение степени компенсации примесных уровней серы акцепторами, созданными при gamma-облучении, приводит к уменьшению как темновой проводимости, так и фотоответа, обусловленного импульсным освещением CO2-лазера.
  1. N. Sclar. Infr. Phys., 167, 435 (1976)
  2. В.С. Вавилов, И.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
  3. А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Ш. Махкамов. ФТП, 8, 262 (1974)
  4. Г.Б. Горлин, В.Т. Туланов, Х.Б. Сиябеков. ЖТФ, 67, в. 10, 142 (1997)
  5. Ю.А. Астров, А.А. Лебедев, А.Т. Мамадалимов, Ш.С. Касымов, Л.Г. Парицкий. Деп. в ВИНИТИ, N 2463-75 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.