Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
Аванесян В.Т.1, Бордовский В.А.1, Кастро Р.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения параметров, характеризующих процессы накопления зарядов.
- Г.А. Бордовский, М.Р. Каничев. ФТП, 24, 527 (1990)
- А.А. Симашкевич, С.Д. Шутов. ФТП, 28, 611 (1994)
- K. Shimakawa, Y. Yano, Y. Katsuma. Philos. Mag. B, 54, 285 (1986)
- N. Anisimova, V. Avanesyan, G. Bordovski, R. Castro, A. Nagaytcev. Proc. 8th Int. Symp. on Electrets. (Paris, France, 1994) p. 136
- Б.Л. Тиман. ФТП, 7, 225 (1973)
- А.М. Андриеш, М.Р. Черный. В сб.: Кристаллические и стеклообразные полупроводники (Кишинев, Штиница, 1977) с. 127
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
