"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
Аванесян В.Т.1, Бордовский В.А.1, Кастро Р.А.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Приведены результаты изучения температурной зависимости емкости контакта Al-As2Se2 в области инфранизких частот и оценены значения параметров, характеризующих процессы накопления зарядов.
  1. Г.А. Бордовский, М.Р. Каничев. ФТП, 24, 527 (1990)
  2. А.А. Симашкевич, С.Д. Шутов. ФТП, 28, 611 (1994)
  3. K. Shimakawa, Y. Yano, Y. Katsuma. Philos. Mag. B, 54, 285 (1986)
  4. N. Anisimova, V. Avanesyan, G. Bordovski, R. Castro, A. Nagaytcev. Proc. 8th Int. Symp. on Electrets. (Paris, France, 1994) p. 136
  5. Б.Л. Тиман. ФТП, 7, 225 (1973)
  6. А.М. Андриеш, М.Р. Черный. В сб.: Кристаллические и стеклообразные полупроводники (Кишинев, Штиница, 1977) с. 127

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.