Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние сужения запрещенной зоны на диффузию заряженных примесей в полупроводниках

Соколовский Б.С.¹, Монастырский Л.С.¹

¹Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

Поступила в редакцию: 11 декабря 1996 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически показано, что учет внутреннего электрического поля, связанного с сужением запрещенной зоны, которое происходит при сильном легировании полупроводника, приводит к уменьшению коэффициента диффузии заряженной примеси и формированию падающего участка на его концентрационной зависимости.

Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D. Shaw (Plenum Press, London--N.Y., 1973). [Пер.: Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975)]
Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
H.P.D. Lanyon, R.A. Tuft. IEEE Trans. Electron. Dev., 26, 1014 (1979); С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
H.S. Bennett, J.R. Lowney. J. Appl. Phys., 52, 5633 (1981)
B.E. Sernelius. Phys. Rev. B 33, 8582 (1986)
H.S. Bennett, J.R. Lowney. J. Appl. Phys., 62, 521 (1987)
S.C. Jain, E. Heasell, D.J. Roulston. Prog. Quant. Electron., 11, 105 (1987)
S.C. Jain, J.M. McGregor, D.J. Roulston. J. Appl. Phys., 68, 3747 (1990)
S.C. Jain, D.J. Roulston. Sol. St. Electron., 34, 453 (1991)
Д.И. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП, 24, 1848 (1990)
Z.H. Lu, M.C. Hanna, A. Majerfeld. Appl. Phys. Lett., 64, 88 (1994)
B.P. Yan, J.S. Luo, Q.L. Zhang. J. Appl. Phys., 77, 4822 (1995)
А.О. Константинов. ФТП, 26, 339 (1992)
Л.С. Монастырский, Б.С. Соколовский. ФТП, 26, 339 (1992)
K. Lehovec, A. Slobodskoy. Sol. St. Electron., 3, 45 (1961)
Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Наука, 1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель