Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования гетерограниц (Al,Ga)Sb/InAs при молекулярно-пучковой эпитаксии
Неклюдов П.В.1, Иванов С.В.1, Мельцер Б.Я.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Мы представляем термодинамическую модель процесса формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетерограниц типа InSb, GaAs и AlAs в гетероструктурах с квантовыми ямами (Al,Ga)Sb/InAs. Максимальная критическая температура формирования планарной гетерограницы типа InSb на буферном слое (Al,Ga)Sb T~ 390oC, полученная из сравнения давления молекул Sb4 во внешнем потоке с их равновесным давлением над напряженным монослоем на гетерогранице, хорошо согласуется с имеющимися экспериментальными данными. В противоположность этому, критическая температура образования гетерограницы типа AlAs (GaAs), соответствующая началу интенсивного переиспарения As, имеет величину много большую, чем обыкновенно используемые температуры роста (350-550oC).
- G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, 3032 (1990)
- B. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys. Lett. 64, 3392 (1994)
- J. Wagner, J. Schmitz, D. Behr, J.D. Ralston, P. Koidl. Appl. Phys. Lett., 65, 1293 (1994)
- I. Sela, C.R. Bolognesi, L.A. Samoska, H. Kroemer. Appl. Phys. Lett., 60, 3283 (1992)
- S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Boudza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, L.M. Sorokin, S.V. Shaposhnikov, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993)
- S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 156, 191 (1995)
- П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988).
- R.E. Nahory, M.A. Pollack, E.D. Beebe, J.C. DeWinter. J. Electrochem. Soc. 125, 1053 (1978)
- O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (Springer Verlag, Berlin, 1982) vol. 17A
- S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, 104, 345 (1990)
- M.B. Panich, M. Ilegems. Progress in Solid State Chemistry, ed. by H. Reiss, J.D. McCaldin (Pergamon, N. Y., 1972) vol. 7, p. 39
- S.Yu. Karpov, Yu.V. Kovalchuk, V.E. Myachin, Yu.V. Pogorelskii. J. Cryst. Growth, 129, 563 (1993)
- M. Seta, H. Asahi, S.G. Kim, K. Asami, Shun-ichi-Gonda. J. Appl. Phys., 74, 5033 (1993)
- J. Spitzer, H.D. Fuchs, P. Etchegoin, M. Ilg, M. Cardona. Appl. Phys. Lett., 62, 2274 (1993)
- B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R.J. Wagner, J.L. Davis, J.R. Waterman. Appl. Phys. Lett., 63, 949 (1993)
- M.Yano, M. Okuizumi, Y. Iwai, M. Inoue. J. Appl. Phys., 74, 7472 (1993)
- P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor-Torres, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev. Sol. St. Commun., 9, 361 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
