Экспериментально и теоретически исследована низкотемпературная термоэдс нейтронно-легированного Ge : Ga. Большие наблюдаемые значения термоэдс в области varepsilon₁-проводимости и ее резкий спад при переходе к проводимости по примесям интерпретируются как проявление эффекта фононного увлечения свободных дырок и его подавления в области прыжкового транспорта. Положительный знак термоэдс и ее величина в области насыщения прыжковой проводимости находят теоретическое объяснение в предположении, что в узком температурном интервале при переходе от varepsilon₁-проводимости к прыжковой в термоэдс дает вклад канал классической varepsilon₂-проводимости, не проявляющийся явно в электропроводности. При переходе к перескокам с переменной длиной прыжка (T=< 2 K) термоэдс резко уменьшается и принимает аномальные исчезающе малые значения. Они получают объяснение в рамках стандартной теории прыжковой термоэдс лишь при условии, что имеет место компенсация вкладов: обусловленного асимметрией плотности состояний примесной зоны в окрестности уровня Ферми и корреляционного.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.