Проведено исследование параметров гетероэпитаксиальных структур 3C/6H -SiC. Гетероэпитаксиальный рост проводился методом сублимационной эпитаксии в открытой системе. Наличие политипа 3C было подтверждено рентгеновскими исследованиями. Проведены исследования вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции полученных p-n-структур. Было обнаружено, что в гетерополитипных структурах между p-3C-SiC и n-6H-SiC образовывался тонкий слабо легированный дефектный слой p-6H-SiC, который и определял электрофизические характеристики сформированных диодных структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.