"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование гетероэпитаксиальных структур { p-3C/n-6H}-SiC
Ледебев А.А.1, Савкина Н.С.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Проведено исследование параметров гетероэпитаксиальных структур 3C/6H -SiC. Гетероэпитаксиальный рост проводился методом сублимационной эпитаксии в открытой системе. Наличие политипа 3C было подтверждено рентгеновскими исследованиями. Проведены исследования вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик и спектров электролюминесценции полученных p-n-структур. Было обнаружено, что в гетерополитипных структурах между p-3C-SiC и n-6H-SiC образовывался тонкий слабо легированный дефектный слой p-6H-SiC, который и определял электрофизические характеристики сформированных диодных структур.
  1. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТП, 24, 1377 (1982)
  2. E.L. Kern, D.W. Hamill, H.W. Dum, U.D. Shuts. Mater. Res. Bull., 4, 25 (1989)
  3. W. von Munch, W. Kukzinder. Sol. St. Electron., 21, 1129 (1978)
  4. M. Ikeda, T. Haykava, S. Ymagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  5. A.N. Andreev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Abstracts E-MRS 1996 Spring Conference (Strasburg, 1996) A-5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.