"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия
Воробкало Ф.М.1, Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Показано, что введение атомов меди в кристаллы арсенида галлия, содержащего антиструктурные дефекты EL2, приводит к практически полному исчезновению индуцированных последними полос люминесценции с положением максимумов излучения hnum=0.63 и 0.68 эВ. Отмеченное обусловлено дезактивацией дефектов EL2 вследствие их взаимодействия с атомами меди, приводящей к образованию электрически неактивных комплексов EL2-Cu.
  1. А.Н. Георгибиани, И.М. Тигиняну. ФТП, 22, 3 (1988)
  2. К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 24, 66 (1992)
  3. D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 46, 15053 (1992)
  4. Q.M. Zhang, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 47, 1667 (1993)
  5. C.Y. Chang, F. Kai. GaAs high-speed devices physics, technology, and circuit applications (N.Y., 1994) p. 48
  6. R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 78, 3843 (1995)
  7. R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 78, 5166 (1995)
  8. W.J. Moore, R.L. Henry, S.B. Saban, J.S. Blakemore. Phys. Rev. B, 46, 7229 (1992)
  9. B.H. Yang, H.P. Gislason. In: Proc. 18 Int. Conf. Def. Semicond. (Sendai, Japan, 1995) p. 713 [Mater. Sci. Forum, 196--201, 713 (1995)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.