Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома
Галкин Н.Г.1, Конченко А.В.1, Маслов А.М.1
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Исследованы спектральная и интегральная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на кремнии толщиной 1000 Angstrem в диапазоне энергий 0.5/1.6 эВ при комнатной температуре. Обнаружено, что максимум фотопроводимости наблюдается при энергии фотонов 1.23 эВ, что соответствует области третьего межзонного перехода в дисилициде хрома с энергией 0.9/0.95 эВ. Пронализированы возможные причины слабого сигнала фотопроводимости в области края основного поглощения.
- J.M. Gay, P. Stocker, F. Rethore. J. Appl. Phys., 73, 8169 (1993)
- N.I. Plusnin, N.G. Galkin, V.G. Lifshits. Sufr. Rev. Lett., 2, 439 (1995)
- F. Nava, T. Tien, K.N. Tu. J. Appl. Phys., 57, 2018 (1985)
- N.G. Galkin, T.V. Velitchko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Thin Sol. Films, 280, 211 (1996)
- M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1336 (1986)
- M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 63, 839 (1988)
- V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabelli, A. Piaggi, A. Borghesi, F. Nava, V.N. Antonov, Vl.N. Antonov, O. Jepsen, O.K. Andersen, V.V. Nemoshkalenko. Phys. Rev. B, 46, 9380 (1992)
- N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko. Thin Sol. Films (1997) (to be published)
- Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
- L.F. Matheiss. Phys. Rev. B, 43, 1863 (1991)
- M.P.C. Krijn, R. Eppenda. Phys. Rev. B, 44, 9042 (1991)
- В.Е. Борисенко, Л.И. Иваненко, С.Ю. Никитин. Микроэлектроника, 21, 69 (1992)
- J.N. Humphrey. Appl. Optics, 4, 665 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук