Вышедшие номера
Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома
Галкин Н.Г.1, Конченко А.В.1, Маслов А.М.1
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследованы спектральная и интегральная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на кремнии толщиной 1000 Angstrem в диапазоне энергий 0.5/1.6 эВ при комнатной температуре. Обнаружено, что максимум фотопроводимости наблюдается при энергии фотонов 1.23 эВ, что соответствует области третьего межзонного перехода в дисилициде хрома с энергией 0.9/0.95 эВ. Пронализированы возможные причины слабого сигнала фотопроводимости в области края основного поглощения.