Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома

Галкин Н.Г.¹, Конченко А.В.¹, Маслов А.М.¹

¹Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия

Поступила в редакцию: 3 декабря 1996 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

PDF версия

Исследованы спектральная и интегральная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на кремнии толщиной 1000 Angstrem в диапазоне энергий 0.5/1.6 эВ при комнатной температуре. Обнаружено, что максимум фотопроводимости наблюдается при энергии фотонов 1.23 эВ, что соответствует области третьего межзонного перехода в дисилициде хрома с энергией 0.9/0.95 эВ. Пронализированы возможные причины слабого сигнала фотопроводимости в области края основного поглощения.

J.M. Gay, P. Stocker, F. Rethore. J. Appl. Phys., 73, 8169 (1993)
N.I. Plusnin, N.G. Galkin, V.G. Lifshits. Sufr. Rev. Lett., 2, 439 (1995)
F. Nava, T. Tien, K.N. Tu. J. Appl. Phys., 57, 2018 (1985)
N.G. Galkin, T.V. Velitchko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Thin Sol. Films, 280, 211 (1996)
M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1336 (1986)
M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 63, 839 (1988)
V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabelli, A. Piaggi, A. Borghesi, F. Nava, V.N. Antonov, Vl.N. Antonov, O. Jepsen, O.K. Andersen, V.V. Nemoshkalenko. Phys. Rev. B, 46, 9380 (1992)
N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko. Thin Sol. Films (1997) (to be published)
Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
L.F. Matheiss. Phys. Rev. B, 43, 1863 (1991)
M.P.C. Krijn, R. Eppenda. Phys. Rev. B, 44, 9042 (1991)
В.Е. Борисенко, Л.И. Иваненко, С.Ю. Никитин. Микроэлектроника, 21, 69 (1992)
J.N. Humphrey. Appl. Optics, 4, 665 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель