"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарная термоэдс в многослойных структурах с p-n-переходами
Агарев В.Н.1
1Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Показано, что нестационарная термоэдс, возникающая в многослойных структурах с p-n-переходами с характерными временами нарастания и спада порядка секунды, может на несколько порядков превышать стационарную термоэдс в однородном полупроводнике. Подобный эффект может наблюдаться как в поликристаллических пленках, так и в искусственно созданных многослойных структур с p-n-переходами с тонкими слоями и может быть использован для создания сверхчувствительных датчиков температуры.
  1. Э.И. Адирович, В.М. Рубинов, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 164, 529 (1965)
  2. Э.И. Адирович, В.М. Рубинов, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 174, 545 (1967)
  3. Э.И. Адирович, Э.М. Мастов, Ю.М. Юабов. ДАН СССР, 188, 1254 (1969)
  4. В.И. Стафеев. ФТП, 6, 2134 (1972)
  5. В.Н. Агарев. Письма в ЖТФ, 3, вып. 13, 626 (1977)
  6. В.Н. Агарев. ФТП, 14, 1018 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.