"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
Киселев В.А.1, Полисадин С.В.1, Постников А.В.1
1Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 4 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Определены оптические константы слоев пористого кремния в диапазоне 600/800 нм и исследовано влияние на них термического отжига в вакууме. Изменение комплексного показателя преломления связано с десорбцией реагентов и продуктов электрохимической обработки кремния. Установлено, что при нагреве до 600 oC температурный коэффициент изменения отражения слоя пористого кремния на длине волны 633 нм не превышает 10-6.
  1. G.G. Qin, I.Q. Jia. Sol. St. Commun., 86, 559 (1993)
  2. J. Kanemitsu, H. Uto, J. Masumoto. Phys. Rev. B, 48, 2827 (1993)
  3. F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Nicolov, V. Gavrilenko. Mater. Res. Soc. Symp., 283, 197 (1993)
  4. H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitchwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
  5. V.A. Kisilev, A.A. Chrebtugov, A.B. Churilov. SPIE Proc. Int. Conf. Microelectronics-92 (Warsaw, Poland, 1992) v. 1783, p. 378
  6. V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
  7. N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochial, Y. Mochizuki, S. Matsui. Appl. Phys. Lett., 61, 940 (1992).
  8. Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, 32 (1996)
  9. В.К. Громов. Введение в эллипсометрию (Л., Изд-во ЛГУ, 1986)
  10. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, (М., Наука, 1973)
  11. M.I.J. Beale. J. Crysr. Growth, 73, 622 (1985)
  12. В.А. Лабунов, В.П. Бондаренко, Л.К. Глиненко, И.Н. Басманов. Микроэлектроника, 12, 11 (1983)
  13. J.J. Yon, K. Barla, R. Herino, G. Bomchil. J. Appl. Phys. 62, 1042 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.