Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
Сукач Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Экспериментально обнаружено перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах, подвергнутых мощному облучению сильно поглощаемым излучением лазера. Показано, что причиной такого явления служат преимущественно диффузионные потоки ионов цинка из p- в n- область, которые проявляются в полях термоупругих напряжений, обусловленных значительными градиентами температуры. Установлены зависимости величин перемещения p-n-перехода от параметров лазерного облучения.
- Э.Л. Савин, Б.И. Болтакс. ФТП, 5, 1331 (1971)
- Б.И. Болтакс, С.М. Городецкий, Т.Д. Джафаров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТТ. 13, 3420 (1971)
- Г.А. Сукач. ФТП, 27, 697 (1993)
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- М.М. Артамонов, Е.Н. Вигдорович, В.А. Федоров. Электрон. техн. Материалы, вып. 8, 63 (1977)
- Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
- И.Б. Пузин. ПТЭ, N 4, 155 (1983)
- Л.Н. Лариков, В.М. Фальченко, В.Ф. Мазанко, С.М. Гуревич, Г.К. Харченко, А.И. Игнатенко. ДАН СССР, 221, 1073 (1976)
- Дж. Эшебли. Континуальная теория дислокаций (М., ИЛ, 1963)
- В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24, 1831 (1990)
- В.И. Фистуль, А.М. Павлов. ФТП, 17, 854 (1983)
- С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A3B5. Справочник (М., Металлургия, 1984)
- А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук