Теоретически исследовано влияние "термоувлечения" электронно-дырочных пар фононами на распределения концентраций носителей тока в полупроводниковом образце при поперечном градиенте температуры решетки. Рассмотрен наиболее интересный случай максимальной ассиметрии граничных условий и толщин образца, близкой к диффузионной длине. Показано, что наличие увлечения приводит к изменению зависимости полной концентрации от координаты с возрастающей на убывающую и, наоборот, к зависимости от направления градиента температуры, а также к значительному количественному перераспределению концентрации по сечению образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.