Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Квантовые ямы в системе ZnCdSe/ZnSe различной ширины выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSe (001). Подложки вырезались из объемных кристаллов ZnSe, полученных газотранспортным методом в водороде. Подготовка поверхности подложки осуществлялась коллоидно-химической полировкой с последующим отжигом в атомарном водороде и напылением защитной пленки селена. В ходе эпитаксиального роста контролировалась топография поверхности по картине дифракции отраженных быстрых электронов. Были проведены исследования методом атомно-силовой микроскопии микрорельефа поверхности образцов и катодолюминесценции выращенных квантово-размерных структур при 40 и 300 K. Относительно низкая микрошероховатость поверхности, контрастные вытянутые рефлексы в дифракционной картине и зависимость спектрального положения линии люминесценции квантовой ямы от ее ширины свидетельствует о высоком структурном качестве выращенных структур.
- A.S. Nasibov, V.I. Kozlovsky, P.V. Reznikov, Ya.K. Skasyrsky, Yu.M. Popov. J. Cryst. Growth, 117, 1040 (1992)
- V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, Yu.M. Popov, P.V. Reznikov, Ya.K. Skasyrsky. IS\&T/SPIE Symposium on Electronic Imaging: Science and Technology (Topic 2407: Projection Display) (San Jose, CA, 1995)
- Н.Г. Басов, Е.М. Дианов, В.И. Козловский, А.Б. Крыса. А.С. Насибов, Ю.М. Попов, А.М. Прохоров, П.А. Трубенко, Е.А. Щербаков. Квант. электрон., 22, 756 (1995)
- M. Ohishi, K. Ohmory, Y. Fujii, H. Saito. J. Cryst. Growth, 86, 324 (1988)
- T. Yodo, T. Koyama, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 64, 2403 (1988)
- M.H. Jeon, L.C. Calhoun, R.M. Park. J. Electron Mater., 24, 177 (1995)
- D.B. Eason, Z. Yu, W.C. Hughes, C. Boney, J.W. Cook, Jr., J.F. Schetzina, D.R. Black, G. Cantwell, W.C. Harsch. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1566 (1995)
- Z. Yu, C. Boney, W.C. Hughers, W.H. Rowland, Jr., J.W. Cook, Jr., J.F. Schetzina, G. Cantwell, W.C. Harsch. Electron. Lett., 31, 1341 (1995)
- Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 161, 51 (1996)
- А.С. Артемов, В.П. Алехин, Н.А. Антохин, В.И. Кравченко, В.И. Лаптев. Тез. докл. II Всес. конф. "Материалы халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников" (1986) т. 1, с. 84
- Е.М. Дианов, А.М. Прохоров, П.А. Трубенко, Е.А. Щербаков. ФТП, 28, 1278 (1994)
- V.I. Kozlovsky, E.A. Shcherbakov, E.M. Dianov, A.B. Krysa, A.S. Nasibov, P.A.Trubenko. J. Cryst. Growth, 159, 609 (1996)
- C. Trager-Cowan, F. Yang, K.P. O'Donnell. Adv. Mater. Opt. Electron. 3, 295 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
