"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO
Кабанов В.Ф.1, Свердлова А.М.1
1Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Рассмотрен эффект положительного магнитосопротивления в пленке ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO, который не является характерным для данного класса материалов. Исследовано влияние на эффект положительного магнитосопротивления внешних магнитного и электрического полей, температуры. Показано, что величина магнитосопротивления Deltarho/rho0 определяется рассеянием свободных носителей заряда на пространственных флуктуациях намагниченности, которые обусловлены неравномерным распределением дефектов в структурно-неупорядоченной системе (квазиаморфная пленка).
  1. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
  2. В.Ф. Кабанов. ФТП, 26, 1837 (1992)
  3. О.С. Вдовин, В.Н. Котелков, В.А. Рожков и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ и МДП структурах (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1983)
  4. В.Г. Бамбуров, А.С. Борухович, А.А. Самохвалов. Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников (М., Металлургия, 1988)
  5. В.А. Кашин, Э.Л. Нагаев, Письма ЖЭТФ, 21, 126 (1975)
  6. В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова. ФТП, 25, 1388 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.