"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесцентные свойстава слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния
Зубрилов А.С.1, Мельник Ю.В.1, Цветков Д.В.1, Бугров В.Е.1, Николаев А.Е.1, Степанов С.И.1, Дмитриев В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Проведено исследование люминесцентных свойств нелегированных эпитаксиальных слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния. В спектрах фото- и катодолюминесценции зарегистрированы краевая полоса (361 нм, 96 K) и дефектные полосы (380, 430, 560 нм, 96 K). Обнаружено, что параметры полос краевой и дефектной люминесценции для исследованных слоев GaN не зависят от кристаллического совершенства подложки, а определяются условиями выращивания, в частности положением образца в реакторе. Показано, что существует характерная симметрия распределения люминесцентных свойств слоя по поверхности образцов относительно направления газового потока в реакторе. Установлена корреляция между параметрами краевой и синей полос люминесценции и концентрацией электрически активной примеси в эпитаксиальном слое.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Appl. Phys. Lett., 62, 2390 (1993); H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994); S. Nakamura, M. Senoh, N. Isawa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 34, L797 (1995)
  2. S. Nakamura. Proc. Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba Univ., Japan, 1996) p. 119
  3. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., B10, 1237 (1992)
  4. A.O. Lebedev, Yu.V. Melnik, A.M. Tsaregorodtsev. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chap. 4 (1994) p. 405
  5. Yu. Melnik, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, A.A. Sitnikova, Yu.G. Musikhin, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, Chap. 5 (1996) p. 863
  6. A.E. Nikolaev, Yu.V. Melnik, M.N. Blashenkov, N.I. Kuznetsov, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, D.V. Tsvetkov, V.I. Nikplaev, V.A. Dmitriev, V.A. Soloviev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Research, 1, 45 (1996) (http://nsr.mij.org/1/45)
  7. J.I. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R.J. Molnar, T.D. Moustakas, B. Van Zeghbroeckin. Proc. Int. Electron. Dev. Meeting (1994) p. 389
  8. Yu. Melnik, I.P. Nikitina, A.E. Nikolaev, D.V. Tsvetkov, A.A. Sitnikova, V.A. Dmitriev. Abstracts 1st European Conf. on Silicon Carbide and Related Mater (Heraklion, Greece, 1996) p. 79
  9. D.K. Nelson, M.A. Jakobson, Yu. Melnik, A.V. Selkin. Abstracts Topical Workshop on III--V Nitrides (Nagoya, Japan, 1995) P-4
  10. V. Dmitriev, K. Irvine, J. Edmond, A. Sitnikova, Yu. Musikhin, N. Bert, A. Zubrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, Yu. Melnik, A. Babanin, A. Tsaregorodtsev. Abstracts 11th Int. Conf. on Crystal Growth (Hague, Netherlands, 1995) p. 135; V. Dmitriev, K. Irvine, G. Bulman, J. Edmond, A. Zybrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, D. Tsvetkov, A. Babanin, A. Sitnikova, Yu. Musikhin, N. Bert. (to be published).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.