"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава
Вирт И.С.1, Цюцюра Д.И.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
Поступила в редакцию: 19 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Показано, что при освещении кристаллов CdxHg1-xTe светом с энергией фотонов, меньше ширины запрещенной зоны, возможна фотопроводимость, обусловленная генерацией электронно-дырочных пар на неоднородностях с меньшим значением состава x. Неоднородности смоделированы в виде кластерной сетки малоугловых границ блоков с повышенной скоростью рекомбинации неравновесных носителей заряда. Проведена оценка величины фотоотклика ((Delta p)) от размера кластерной сетки (rc).
  1. С. Ашмонтас, И. Градаускас, К. Науджюс, Э. Ширмулис. ФТП, 28, 1975 (1994)
  2. Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Укр. физ. журн., 34, 1088 (1989)
  3. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984)
  4. Н.Н. Григорьев, В.К. Ергаков, Л.А. Караченцева, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко, Э.А. Маловичко. ФТП, 25, 1649 (1991)
  5. М.Г. Андрухив, И.С. Вирт, Д.И. Цюцюра, П.С. Шкумбатюк. Электрон. техн., сер. Материалы, 257, 62 (1991)
  6. V.C. Lopes, A.Y. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.