Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина 
Поступила в редакцию: 19 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Показано, что при освещении кристаллов CdxHg1-xTe светом с энергией фотонов, меньше ширины запрещенной зоны, возможна фотопроводимость, обусловленная генерацией электронно-дырочных пар на неоднородностях с меньшим значением состава x. Неоднородности смоделированы в виде кластерной сетки малоугловых границ блоков с повышенной скоростью рекомбинации неравновесных носителей заряда. Проведена оценка величины фотоотклика ((Delta p)) от размера кластерной сетки (rc).
- С. Ашмонтас, И. Градаускас, К. Науджюс, Э. Ширмулис. ФТП, 28, 1975 (1994)
- Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Укр. физ. журн., 34, 1088 (1989)
- А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984)
- Н.Н. Григорьев, В.К. Ергаков, Л.А. Караченцева, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко, Э.А. Маловичко. ФТП, 25, 1649 (1991)
- М.Г. Андрухив, И.С. Вирт, Д.И. Цюцюра, П.С. Шкумбатюк. Электрон. техн., сер. Материалы, 257, 62 (1991)
- V.C. Lopes, A.Y. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
