Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Были исследованы эпитаксиальные пленки p-GaAs1-xSbx, легированные Ge (x=0/0.1; NGe=0.01/ 10 ат% в жидкой фазе; концентрация дырок при комнатной температуре (0.06-40)· 1018 см-3 ), выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Обнаружено, что при одной и той же концентрации Ge в жидкой фазе концентрация дырок в твердом растворе примерно в 2 раза больше, чем в GaAs, независимо от содержания Sb. Найдены энергия активации германиевого акцептора varepsilon1=(22±2) мэВ и критическая концентрация перехода металл-диэлектрик pc=(3.9±0.3)· 1018 см-3 для x=0.06.
- Ю.Ф. Бирюлин, В.Н. Каряев, И.Ю. Новикова, Т.А. Полянская и др. ФТП, 15, 2288 (1981)
- С.Б. Демичева, В.Н. Каряев, С.В. Мясников, Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская и др. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 5 (164), 19 (1983)
- А.Я. Вуль, С.В. Кидалов. ФТП 20, 451 (1966)
- Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская. ФТП, 21, 1737 (1987)
- K. Sigiyama, H. Saito. Japan. J. Appl. Phys., 11, 1057 (1972)
- R.E. Nahory, M.A. Pollak, J.C. SeWinter, B.F. Williams. J. Appl. Phys., 48, 1609 (1977)
- D.N.J. Hurle. J. Phys. Chem. Sol., 40, 647 (1979)
- F.E. Rosztoczy, F. Ermanis, I. Hayashi, B. Schwartz. J. Appl. Phys., 41, 264 (1970)
- C. Constantinescu, I. Petrescu-Prahova. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2397 (1967)
- Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. Тез. докл. V Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия (Томск, 1982) с. 62
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964) гл. 3, 2--5
- Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская. ФТП, 22, 381 (1988)
- В.В. Чалдышев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1984)
- А.Г. Забродский. ФТП, 11, 595 (1977)
- А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- И.В. Даховский, Т.А. Полянская, Л.Г. Самойлович, Ю.В. Шмарцев. ФТП 4, 2165 (1970)
- P.P. Edwards, M.I. Sienko. Phys. Rev. B, 17, 2575 (1978)
- N.A. Mora, S. Bermon, J.J. Loferski. Phys. Rev. Lett., 27, 664 (1971)
- Т.Ю. Бильгельдеева, Дисс. канд. ф.-м. наук. (Л., ЛПИ, 1988); Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов. Тез. докл. V Всес. конф. "Тройные полупроводники и их применение" (Кишенев, 1987) с. 173
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
