"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием
Аллен Т.Ю.1, Полянская Т.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Были исследованы эпитаксиальные пленки p-GaAs1-xSbx, легированные Ge (x=0/0.1; NGe=0.01/ 10 ат% в жидкой фазе; концентрация дырок при комнатной температуре (0.06-40)· 1018 см-3 ), выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Обнаружено, что при одной и той же концентрации Ge в жидкой фазе концентрация дырок в твердом растворе примерно в 2 раза больше, чем в GaAs, независимо от содержания Sb. Найдены энергия активации германиевого акцептора varepsilon1=(22±2) мэВ и критическая концентрация перехода металл--диэлектрик pc=(3.9±0.3)· 1018 см-3 для x=0.06.
  1. Ю.Ф. Бирюлин, В.Н. Каряев, И.Ю. Новикова, Т.А. Полянская и др. ФТП, 15, 2288 (1981)
  2. С.Б. Демичева, В.Н. Каряев, С.В. Мясников, Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская и др. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, N 5 (164), 19 (1983)
  3. А.Я. Вуль, С.В. Кидалов. ФТП 20, 451 (1966)
  4. Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская. ФТП, 21, 1737 (1987)
  5. K. Sigiyama, H. Saito. Japan. J. Appl. Phys., 11, 1057 (1972)
  6. R.E. Nahory, M.A. Pollak, J.C. SeWinter, B.F. Williams. J. Appl. Phys., 48, 1609 (1977)
  7. D.N.J. Hurle. J. Phys. Chem. Sol., 40, 647 (1979)
  8. F.E. Rosztoczy, F. Ermanis, I. Hayashi, B. Schwartz. J. Appl. Phys., 41, 264 (1970)
  9. C. Constantinescu, I. Petrescu-Prahova. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2397 (1967)
  10. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. Тез. докл. V Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия (Томск, 1982) с. 62
  11. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964) гл. 3, 2--5
  12. Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская. ФТП, 22, 381 (1988)
  13. В.В. Чалдышев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1984)
  14. А.Г. Забродский. ФТП, 11, 595 (1977)
  15. А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
  16. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  17. И.В. Даховский, Т.А. Полянская, Л.Г. Самойлович, Ю.В. Шмарцев. ФТП 4, 2165 (1970)
  18. P.P. Edwards, M.I. Sienko. Phys. Rev. B, 17, 2575 (1978)
  19. N.A. Mora, S. Bermon, J.J. Loferski. Phys. Rev. Lett., 27, 664 (1971)
  20. Т.Ю. Бильгельдеева, Дисс. канд. ф.-м. наук. (Л., ЛПИ, 1988); Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов. Тез. докл. V Всес. конф. "Тройные полупроводники и их применение" (Кишенев, 1987) с. 173

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.