Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности
Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Оболенский О.И.1, Поссе Е.А.1, Царенков Б.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Изучались температурные зависимости коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе GaAs в интервале температур 78/ 300 K и энергий фотонов 1.8/ 4.7 эВ. Показано экспериментально, что квантовая эффективность gamma возрастает с ростом температуры T; при высоких температурах зависимость gamma от T стремится к насыщению. Для объяснения температурного роста квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs предложена модель, основанная на представлении о флуктуационных ловушках в слое объемного заряда структуры. Эта модель при достаточно хорошем согласии с экспериментом позволяет разделить зависимости квантовой эффективности от температуры и от энергии фотонов, т. е. выделить в явном виде температурную зависимость квантовой эффективности.
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 421 (1995)
- R. Kalibijan, K. Mayeda. Sol. St. Electron., 14, 529 (1971)
- А.А. Гуткин, Н.В. Дмитриев, Д.Н. Наследов, А.В. Пашковский. ФТП, 5, 1673 (1972)
- Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, О.А. Мезрин, С.И. Трошков, Б.В. Царенков. ФТП, 24, 1835 (1990)
- Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. А.с. СССР, N 392845 (1975)
- Landolt-Burnstein. Numerical data and functional relationship in science and technology (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y., 1982) v. 17 Semiconductors, subvol. a Phys. of group IV elem. and III--V compounds.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.