"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности
Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Оболенский О.И.1, Поссе Е.А.1, Царенков Б.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Изучались температурные зависимости коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе GaAs в интервале температур 78/ 300 K и энергий фотонов 1.8/ 4.7 эВ. Показано экспериментально, что квантовая эффективность gamma возрастает с ростом температуры T; при высоких температурах зависимость gamma от T стремится к насыщению. Для объяснения температурного роста квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs предложена модель, основанная на представлении о флуктуационных ловушках в слое объемного заряда структуры. Эта модель при достаточно хорошем согласии с экспериментом позволяет разделить зависимости квантовой эффективности от температуры и от энергии фотонов, т. е. выделить в явном виде температурную зависимость квантовой эффективности.
  1. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 421 (1995)
  2. R. Kalibijan, K. Mayeda. Sol. St. Electron., 14, 529 (1971)
  3. А.А. Гуткин, Н.В. Дмитриев, Д.Н. Наследов, А.В. Пашковский. ФТП, 5, 1673 (1972)
  4. Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, О.А. Мезрин, С.И. Трошков, Б.В. Царенков. ФТП, 24, 1835 (1990)
  5. Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. А.с. СССР, N 392845 (1975)
  6. Landolt-Burnstein. Numerical data and functional relationship in science and technology (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y., 1982) v. 17 Semiconductors, subvol. a Phys. of group IV elem. and III--V compounds.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.