Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Исследовано влияние нейтронного облучения (Phi=1014-1015 см-2) и последующих отжигов (T=100-750oC) на фотолюминесценцию сильно легированных теллуром кристаллов n-GaAs (n0~=2·1018 см-3). Показано, что указанное радиационно-термическое воздействие при возрастании температуры отжига приводит сначала (при T~= 300oC) к появлению интенсивной полосы люминесценции с максимумом излучения вблизи 1.35 эВ, а затем (при T>550oC) к снижению ее интенсивности. Отмеченное связано с радиационно-стимулированной генерацией пар VGaTeAsVAs при умеренных температурах прогрева и последующей их диссоциацией при повышенных температурах прогрева.