"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Исследовано влияние нейтронного облучения (Phi=1014-1015 см-2) и последующих отжигов (T=100-750oC) на фотолюминесценцию сильно легированных теллуром кристаллов n-GaAs (n0~=2·1018 см-3). Показано, что указанное радиационно-термическое воздействие при возрастании температуры отжига приводит сначала (при T~= 300oC) к появлению интенсивной полосы люминесценции с максимумом излучения вблизи 1.35 эВ, а затем (при T>550oC) к снижению ее интенсивности. Отмеченное связано с радиационно-стимулированной генерацией пар VGaTeAsVAs при умеренных температурах прогрева и последующей их диссоциацией при повышенных температурах прогрева.
  1. Е.В. Винник, К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
  2. Е.В. Винник, К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 27, 1030 (1993)
  3. Л.С. Смирнов. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Новосибирск, 1980)
  4. К.Д. Глинчук, К. Лукат, В.Е. Родионов. ФТП, 15, 1337 (1981)
  5. K.D. Glinchuk, A.V. Prokorovich, N.S. Zayats. Phys. St. Sol. (a), 82, 503 (1984)
  6. К.Д. Глинчук, В.Ф. Коваленко, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 22, 46, (1992)
  7. R. Coates, F.W. Mitchell. Adv. Phys., 24, 593 (1975)
  8. G. Dlubek, R. Krause. Phys. St. Sol. (a), 102, 443 (1987)
  9. G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, O. Brumer. Phys. St. Sol. (a), 107, 11 (1988)
  10. К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. Кристаллография, 41, 324 (1996)
  11. Е.В. Винник, К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 24, 1363 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.