Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe при ее отжиге в парах Cd
Бабенцов В.Н.1, Власенко З.К.1, Власенко А.И.1, Любченко А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Проведены экспериментальные исследования и численное моделирование процесса двустороннего легирования пластины p-CdTe мелкими донорами при ее отжиге в парах кадмия. Установлен ряд особенностей этого процесса - корреляция в полосах низкотемпературной фотолюминесценции между разгоранием линии экситона, связанного на доноре, и гашением акцепторной линии, присущих рекомбинации на примеси I группы таблицы Д.И.Менделеева, находящейся в междоузлиях и узлах Cd соответственно; существенное влияние диффузии на профиль распределения доноров. Полученные результаты позволяют оптимизировать процесс отжига.
- R. Bean, K. Zanio, J. Ziegler. J. Vac. Sci. Technol., A 7, 343 (1989)
- M.R. Squilante, G. Entine, E. Frederic, L. Cirignano. Instr. and Method in Phys. Research. A, 283, 323 (1989)
- A. Partovi, J. Millerd, E. Garmire, M. Ziari, W. Steier, S.B. Trivedi, M.B. Klein. Appl. Phys. Lett., 57, 846 (1990)
- W.J. Kim, M.J. Park, S.U. Kim, T.S. Lee, J.M. Kim, W.J. Song, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, 104, 677 (1990)
- P. Gheuvart, U.E. Hanani, D. Schneider, R. Tribolet. J. Cryst. Growth, 101, 270 (1990)
- E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. St. Col. B, 109, 635 (1982)
- S. Seto, A. Tanaka, Y. Masa, S. Dairaku, M. Kawashima, Appl. Phys. Lett., 53, 1524 (1988)
- Н.В. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 22, 1248 (1988)
- Е.С. Никонюк, В.Л. Шляховый, З.И. Захарук, М.А. Ковалец, Н.И. Кучма. Неорг. матер., 31, 185 (1995)
- Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 1, 172 (1980)
- В.Н. Бабенцов, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, 26, 1088 (1992)
- V.N. Babentsov, A.I. Vlasenko, N.I. Tarbaev. Int. Workshop on "Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics", ed. by S.V.Svechnikov, M.Ya.Valakh. Proc. SPIE, 2113, 104 (1993)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук