"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда в гетороструктуре с двумерным электронным газом
Сабликов В.А.1, Поляков С.В.2, Рябушкин О.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Институт математического моделирования Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Показано, что неравновесные носители заряда, возникающие при локальном оптическом воздействии на гетероструктуру с двумерным электронным газом, переносится в плоскости структуры на чрезвычайно большое расстояние от места возбуждения, которое значительно превосходит длину диффузии в объеме. Эффект обусловлен тем, что генерированные светом электроны и дырки разделяются встроенным электрическим полем гетероперехода к противоположным краям буферного слоя, где они переносятся по параллельным плоскостям. Расстояние, на которое распространяется неравновесная концентрация носителей, достигает больших значений благодаря: (1) высокой проводимости двумерных электронов, (2) барьера для рекомбинации электронов и дырок и (3) дрейфу дырок в электрическом поле, создаваемом зарядом неравновесных носителей в плоскости структуры.
  1. G.D. Gillard, D.J. Woklford, T.F. Kuech, J.A. Bradley. Appl. Phys. Lett., 59, 216 (1991)
  2. G.D. Gillard, D.J. Wolford, T.F. Kuech, et al. J. Appl. Phys., 73, 8386 (1993)
  3. Z.W. Wang, J. Windscheif, D.J. As, W. Jantz. J. Appl. Phys., 73, 1430 (1993)
  4. Q.X. Zhao, B. Monemar, P.O. Holtz, et al. Phys. Rev. B, 50, 7514 (1994)
  5. И.А. Авруцкий, О.П. Осауленко, В.Г. Плотченко, Ю.Н. Пырков. ФТП, 26, 1907 (1992)
  6. J.S. Massa, G.S. Buller, A.C. Wolker, et al. Appl. Phys. Lett., 66, 1346 (1995)
  7. M. Sydor, J. R. Engholm, M.O. Manasreh, et al. Phys. Rev. B, 45, 13 796 (1992)
  8. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  9. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  10. С.М. Рывкин, Д.В. Тархин. ФТП, 7, 1447 (1973)
  11. J.E. Carnes, W.F. Kosonocky, E.F. Ramberg. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 798 (1972)
  12. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, С.М. Рывкин, О.М. Сресели, Р.А. Сурис. ФТП, 13, 2173 (1979)
  13. А.Г. Денисов, Г.С. Дорджин, Ю.Г. Садофьев, Л.В. Шаронова, А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 16, 2152 (1982).
  14. O.A. Ryabushkin, V.A. Sablikov, V.G. Mokerov, Yu.V. Fyodorov. Abstracts of Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology-95' (St.Petersturg, Russia, 1995) p. 52.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.