"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция анодизированных слоев CdSiAs2
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Слои были изготовлены электрохимическим анодным травлением неориентированных пластин CdSiAs2 p-типа проводимости в спиртовом растворе плавиковой кислоты. Было установлено, что возникает широкая полоса фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов homega=1.82 эВ при 300 K, который расположен в области фундаментального поглощения объемных кристаллов CdSiAs2. Обсуждается зависимость параметров спектров фотолюминесценции анодных слоев группы полупроводников Si, GaAs и CdSiAs2.
  1. В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
  2. И.А. Мальцева, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, М. Сергинов. ФТП, 10, 1222 (1976)
  3. Ю.В. Рудь. ФТП, 17, 2208 (1983)
  4. Ф.П. Кесаманлы, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1761 (1993)
  5. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990).
  6. J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors (Pergamon Press, Oxford, 1975).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.