Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квазибаллистическая модель токопереноса и формирование вольт-амперной характеристики S-типа в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs--GaAs--AlAs
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 6 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Рассмотрена квазибаллистическая модель токопереноса в двухбарьерной гетероструктуре AlxGa1-xAs-GaAs-AlAs со слабо легированной ямой. Учтено рассеяние электронов в слое GaAs в X-долину, незеркальность отражения электронов от барьера AlAs и квантование энергии в предбарьерной области. Показана возможность реализации S-образной вольт-амперной характеристики в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре в отсутствие электрон-электронных столкновений при относительно широком барьере AlAs.
- A.M. Belyantsev, E.V. Demidov, Yu.A. Romanov. Lith. J. Phys., 32, 31 (1992)
- T.K. Higman, L.M. Miller et al. Appl. Phys. Lett., 53, 1623 (1988)
- А.М. Белянцев, Ю.Ю. Романова. ФТП, 29, 1498 (1995)
- M. Heiblum. Sol. St. Electron., 31, 617 (1988)
- А. Мицкявичус, А. Реклайтис. ФТП, 20, 1693 (1986)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- W. Fawcett, A.D. Broadman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 34, 1963 (1970)
- A. Wacker, E. Scholl. Appl. Phys. Lett., 59, 1702 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
