"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия
Бугров В.Е.1,2, Зубрилов А.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Cree Research EED Inc., Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Исследовались волноводные свойства двойных гетероструктур на основе нитридов элементов III группы A III N. Установлено, что в твердом растворе широкозонной области достаточным (для ограничения оптической моды внутри активной области) является содержание AlN не более 8/ 10%. Учтено влияние поглощения света в широкозонных слоях на плотность порогового тока гетероструктурных лазеров. Для гетероструктур на основе A III N этот вид поглощения света будет, по-видимому, определяющим. Для лазеров на основе таких структур плотность порогового тока ожидается на уровне порядка 10 кА/см2. Вследствие сильного поглощения света в волноводном слое для лазеров на одиночные квантовых ямах не следует ожидать снижения плотности порогового тока по сравнению с обычными лазерами на двойных гетероструктурах. Снижение плотности порогового тока до нескольких кА/см2 возможно для лазеров с большим числом квантовых ям.
  1. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  2. H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)
  3. S. Nakamura. InterNet communication report, January 15, 1996
  4. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981). [Пер. с англ.: H.C. Casey, Jr., M.B. Panish. Heterostructure Lasers (N. Y., Academic Press, 1978)
  5. O. Ambacher, W. Rieger, M. Stutzmann. Abstracts of Topical Workshop on III--V Nitrides, TWN'95 F-5 (Nagoya, Japan, 1995)
  6. H.Amano, N. Watanabe, N. Koide, I. Akasaki. Japan. J. Appl. Phys., 32, L1000 (1993)
  7. K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami. J. Appl. Phys., 46, 3432 (1975)
  8. W. Fang, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett., 67, 751 (1995)
  9. S. Kamiyama, M. Suzuki, T. Uenoyama, Y. Ban. Abstracts of Topical Workshop on III--V Nitrides, TWN'95 SP-5 (Nagoya, Japan, 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.