"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-- p0-Si--p-Si с разупорядоченным промежуточным p0-слоем
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1, Мередов М.М.1, Язлыева А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 января 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Проведены измерения электрических характеристик и фотоэдс на диодных структурах Pd--p0-Si--p-Si с разупорядоченным (пористым) p0-слоем Si. Предполагаемый механизм токопереноса --- двойная инжекция электронов и дырок в p0-слой. В атмосфере водорода фотоэдс возрастает в 20 раз; обратный ток падает в 3--4 раза. Рост фотоэдс связан с ростом барьера Шоттки Pd--p0-Si, а падение темнового тока --- с изменением коэффициента инжекции электронов. Релаксация фотоэдс после выключения потока H2 имеет два временных интервала длительностью порядка 130 и 420 с. Показано, что эти особенности релаксации связаны с гетерогенностью структуры p0-слоя, включающего в себя как неанодизированные участки, так и пористые. Эти области структуры содержат свой набор глубоких центров захвата и рекомбинации, и этот набор может изменяться под действием водорода, создающего индуцированные "временные" глубокие уровни.
  1. B. Hamilton. Semicond. Sci. Techn., 10, 1187 (1995)
  2. Г.Г. Ковалевская, М.М. Мамедов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, 185 (1993)
  3. K.C. Mandal, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. Appl. Phys. Lett., 57, 2788 (1990)
  4. H. Sugiyama, O. Nittono. J. Cryst. Growth, 103, 156 (1990)
  5. F. Kozlowski, W. Lang. J. Appl. Phys., 72, 5401 (1992)
  6. T. Ito, T. Yasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Japan. J. Appl. Phys., 29, L201 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.