"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О фотоэлектрическом усилении варизонными фоторезисторами
Савицкий В.Г.1, Соколовский Б.С.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 6 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Теоретически рассмотрены особенности фотоэлектрического усиления варизонных фоторезисторов с линейно увеличивающейся к контактам шириной запрещенной зоны. Показано, что в таких фоторезисторах реализуется немонотонная полевая зависимость коэффициента фотоэлектрического усиления, максимальное значение которого увеличивается с ростом градиента ширины запрещенной зоны и может существенно превышать соответствующее значение для однородных образцов.
  1. R.L. Williams. Infr. Phys., 8, 337 (1968)
  2. C.B. Burgett, R.L. Williams. Infr. Phys., 13, 61 (1972)
  3. M.R. Johnson. J. Appl. Phys., 43, 3090 (1972)
  4. T. Ashley, C.T. Elliott. Infr. Phys., 22, 367 (1982)
  5. D.L. Smith, D.K. Arch, R.A. Wood, M. Walter Scott. Appl. Phys. Lett., 45, 83 (1983)
  6. D.K. Arch, R.A.Wood. J. Appl. Phys., 58, 2360 (1985)
  7. О.Г. Кондратьева, Л.Н. Неустроева, В.В. Осипов. ФТП, 22, 2131 (1988)
  8. О.Г. Кондратьева, Л.Н. Неустроева, В.В. Осипов. ФТП, 23, 536 (1989)
  9. О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
  10. В.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. УФЖ, 25, 1919 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.