"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Позитронная диагностика вакансионных дефектов в облученном электронами карбиде кремния
Гирка А.И., Кулешин В.А., Мокрушин А.Д., Мохов Е.Н., Свирида С.В., Шишкин А.В.
Выставление онлайн: 19 ноября 1989 г.

Методом измерения времени жизни позитронов проведены исследования радиационных дефектов вакансионного типа, образующихся в карбиде кремния при облучении быстрыми электронами (диапазон флюенсов 1·1015-3·1018 см-2) при различных температурах (50, 100, 400 и 600oС). Обнаружено, что облучение электронами приводит к образованию по крайней мере двух типов вакансионных дефектов. Дефекты первого типа, стабильные до температур отжига Ta=150oС, представляют собой, вероятно, генетически связанные пары Френкеля. Дефекты второго типа, которыми предположительно являются азот-вакансионные (N-V)-комплексы, отжигаются при Ta<=1400oС. Показано, что в процессе термического отжига (диапазон Ta=1000-1200oС) образцов карбида кремния, облученных до высоких флюенсов электронов, имеет место процесс образования вакансионных кластеров, который существенным образом связан с концентрацией примесного азота.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.