"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Время релаксации импульса 2D-электронов n-AlxGa1-xAs/GaAs в классическом магнитном поле
Кадушкин В.И., Денисов А.А., Колосова С.В.
Выставление онлайн: 19 сентября 1989 г.

Классическое магнитосопротивление использовано для определения времени релаксации taup двумерных электронов n-AlxGa1-xAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались образцы с ns=2·1011/3·1012 см-2 при T=4.2 K и магнитном поле до 7.2 Т. Сравнивались экспериментальные зависимости магнитопроводимости с расчетной. На зависимости taup(B) имеются плато (в слабом поле) и участок спада. Показано, что в магнитном поле конкурируют два механизма релаксации импульса: примесный механизм и деформационный потенциал акустических фононов. Выполненные различными способами оценки подвижности согласуются между собой лишь для низкоподвижных образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.