"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет параметров маждолинного рассеяния на фононах в полупроводниковых кристаллах AIIIBV
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

На основе метода модельного нелокального псевдопотенциала в приближении жестких ионов проведено систематическое изучение параметров рассеяния электронов на коротковолновых фононах в соединениях AIIIBV. Рассчитаны константы деформационного потенциала для междолинного рассеяния Gamma-X, Gamma-L, X-X, L-L, X-L в нижней зоне проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.