"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей заряда в полупроводниках
Артемьев В.А., Витовский Н.А., Михнович В.В.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

В приближении потенциального рассеяния анализируется температурная зависимость подвижности носителей заряда, обусловленная рассеянием на электростатическом потенциале скоплений дефектов, связанном с плотностью заряда, локализованного на дефектах, и деформацией, создаваемой дефектами в скоплении. Показано, что при рассеянии на скоплениях нейтральных дефектов, когда потенциал определяется деформацией, подвижность может уменьшаться с повышением температуры. При рассеянии на скоплениях заряженных центров подвижность увеличивается с ростом температуры. Проанализирована правомерность использования приближения потенциального рассеяния для ряда случаев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.